≈≈澜起科技688008≈≈维赛特财经www.vsatsh.cn(更新:24.10.21)
★2024年中期
●董事会报告对整体经营情况的讨论与分析:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司是一家集成电路设计企业，集成电路行业作为全球信息产业的基础，
是世界电子信息技术创新的基石。集成电路行业派生出诸如PC、互联网、智能手机、
云计算、大数据、人工智能等诸多具有划时代意义的创新应用，成为现代日常生活中
必不可少的组成部分。移动互联时代后，5G、云计算、AI计算、高性能计算、智能汽
车等应用领域的快速发展和技术迭代，正推动集成电路产业进入新的成长周期。
集成电路行业主要包括集成电路设计业、制造业和封装测试业，属于资本
与技术密集型行业。
（1）服务器市场行业情况
公司的产品内存接口及模组配套芯片、PCIe Retimer芯片、MXC芯片、津逮
CPU以及混合安全内存模组等主要应用于服务器，因此，服务器行业的发展情况与公
司业务紧密相关。相较于普通计算机，服务器具有更高速的CPU计算能力、更强大的
外部数据吞吐能力和更好的扩展性，运行更快，负载更高。
基于全球数据总量的爆发式增长以及数据向云端迁移的趋势，新的数据中
心建设热度不减，同时围绕新增数据的处理和应用，云计算、人工智能、虚拟现实和
增强现实等数字经济方兴未艾，服务器作为基础的算力支撑，从中长期来看，全球服
务器市场将保持高景气度。
经历2023年的行业整体去库存后，2024年全球服务器市场开始恢复性增长
。根据2024年7月Gartner发布的《2024年第一季度全球服务器市场报告》显示，2024
年第一季度全球服务器市场销售额保持增长，销售额407.5亿美元，同比增长59.9%；
出货量282.0万台，同比增长5.9%。
（2）AI服务器及AI PC行业情况
2024年上半年，随着AI算力需求的持续释放，以及各大云服务厂商加大AI
资本支出，AI服务器需求持续增加。根据IDC于2024年7月做出的预测，预估2024年AI
服务器产值将达1,870亿美元，成长率达69%，产值占整体服务器高达65%。2024年全
球AI服务器数量上修至167万台，年增长率达到41.5%。
2024年上半年，苹果、微软分别发布Apple Intelligence和Windows11AI P
C，开启AI PC新时代。根据Canalys于2024年7月做出的预测，2024年全球AI PC出货
量达4800万台，在电脑
市场占比约为18%，预计2025年出货量将超1亿台，占比增加至40%，到2028
年，AI PC出货量将达到2.05亿台，2024~2028年年均复合增长率高达44%。
（3）内存模组行业情况
内存模组是当前计算机架构的重要组成部分，作为CPU与硬盘的数据中转站
，起到临时存储数据的作用，其存储和读取数据的速度相较硬盘更快。按应用领域不
同，内存模组可分为：1、服务器内存模组，其目前主要类型为RDIMM、LRDIMM等，相
较于其他类型内存模组，服务器内存模组由于服务器数据存储和处理的负载能力不断
提升，对内存模组的稳定性、纠错能力以及低功耗均提出了较高要求；2、普通台式
机、笔记本内存模组，其目前主要类型为UDIMM、SODIMM等。而平板、手机内存主要
使用的LPDDR通过焊接至主板或封装在片上系统上发挥功能。全球DRAM行业市场90%以
上的市场份额由三星电子、海力士及美光科技占据，他们也是公司内存接口芯片及内
存模组配套芯片主要的下游客户。
内存模组的发展有着清晰的技术升级路径，JEDEC组织定义内存模组的组成
构件、性能指标、具体参数等。近两年服务器内存模组行业正经历从DDR4世代向DDR5
世代切换，DDR5第一子代、第二子代相关产品已实现量产，目前，JEDEC已完成DDR5
第三子代、第四子代产品标准制定，并正在制定第五子代产品的标准。同时，基于传
输速率的提升或新的产业需求，新的内存模组架构也陆续被JEDEC定义并成为国际标
准，比如用于服务器的MRDIMM，以及用于台式机/笔记本电脑的CUDIMM、CSODIMM、CA
MM等内存模组。
内存模组与CPU是计算机的两个核心部件，是计算机生态系统的重要组成部
分，支持更高速率DDR5的CPU的持续迭代将推动DDR5内存模组的规模使用及更新换代
。
（4）内存接口芯片及内存模组配套芯片行业情况
内存接口芯片是服务器内存模组的核心逻辑器件，其主要作用是提升内存
数据访问的速度及稳定性，满足服务器CPU对内存模组日益增长的高性能及大容量需
求。
从2016年开始，DDR4技术的发展进入了成熟期，成为内存市场的主流技术
。为了实现更高的传输速率和支持更大的内存容量，JEDEC组织进一步更新和完善了D
DR4内存接口芯片的技术规格，增加了多种功能，用以支持更高速率和更大容量的内
存。在DDR4世代，从Gen1.0、Gen1.5、Gen2.0到Gen2plus，每一子代内存接口芯片所
支持的最高传输速率在持续上升，DDR4最后一个子代产品Gen2plus支持的最高传输已
达3200MT/s。随着DDR5内存技术规格和产品的成熟商用，DDR5内存技术正在实现对DD
R4内存技术的更新和替代。DDR5内存接口芯片相比于DDR4最后一个子代的内存接口芯
片，采用了更低的工作电压（1.1V），同时在传输有效性和可靠性上又迈进了一步。
从JEDEC已经公布的相关信息来看，DDR5内存接口芯片已经规划了五个子代，支持速
率分别是4800MT/s、5600MT/s、6400MT/s、7200MT/s、8000MT/s，预计后续可能还会
有1~2个子代，可见通过不断的技术创新，实现更高的传输速率和支持更大的内存容
量将是内存接口芯片行业未来发展的趋势和动力。
根据JEDEC组织的定义，在DDR5世代，服务器内存模组上除了需要内存接口
芯片之外，同时还需要配置三种配套芯片，包括一颗SPD芯片、一颗PMIC芯片和两颗T
S芯片；普通台式机、笔记本电脑的内存模组UDIMM、SODIMM上，需要配置两种配套芯
片，包括一颗SPD芯片和一颗PMIC芯片。
目前DDR5内存接口芯片的竞争格局与DDR4世代类似，全球有三家主流供应
商可提供相关产品，分别是澜起科技、瑞萨电子和Rambus。关于DDR5内存模组配套芯
片，报告期内，SPD和TS主要的两家供应商是澜起科技和瑞萨电子；PMIC的竞争对手
更多，竞争态势更复杂。
为了满足不断增长的AI处理对更高带宽、更高容量内存模组需求，JEDEC组
织制定了服务器MRDIMM（Multiplexed Rank DIMM）内存模组相关技术标准。根据JED
EC公布的信息：DDR5MRDIMM提供创新、高效的新模块设计，以提高数据传输速率和整
体系统性能。多路复用允许将多个数据信号组合并通过单个通道传输，从而有效地增
加带宽而无需额外的物理连接并提供无缝带宽升级，使应用程序能够超过DDR5RDIMM
数据速率，其他计划中的功能包括：1、平台与RDIMM兼容，可实现灵活的最终用户带
宽配置；2、利用标准DDR5DIMM组件(包括DRAM、DIMM外形尺寸和引脚分布、SPD、PMI
C和TS)以方便采用；3、利用RCD/DB逻辑处理能力实现高效的1/0扩展；4、利用现有
的LRDIMM生态系统进行设计和测试基础设施支持多代扩展到DDR5-EOL。第一代MRDIMM
支持8800MT/S速率，目前正在定义的第二子代MRDIMM的数据传输速率预计为12800MT/
s。MRDIMM需要搭配1颗MRCD和10颗MDB芯片，与普通的RCD芯片、DB芯片相比，MRCD/M
DB芯片设计更为复杂、速率更高。
在桌面端，随着DDR5传输速率持续提升，到DDR5中期，原本不需要信号缓
冲的UDIMM、SODIMM（主要用于台式机和笔记本电脑），将需要一颗时钟驱动器（Clo
ck Driver）对内存模组的时钟信号进行缓冲再驱动，从而提高时钟信号的信号完整
性和可靠性。JEDEC组织制定了CUDIMM和CSODIMM内存模组相关标准，包括其中的CKD
芯片相关标准，将应用于支持6400MT/S及以上速率的台式机和笔记本电脑。
（5）PCIe及PCIe Retimer芯片行业情况
PCIe协议是一种高速串行计算机扩展总线标准，自2003年诞生以来，近几
年PCIe互连技术发展迅速，传输速率基本上实现了每3-4年翻倍增长，并保持良好的
向后兼容特性。PCIe协议已由PCIe4.0发展为PCIe5.0，传输速率已从16GT/s提升到32
GT/s，到PCIe6.0，传输速率将进一步提升到64GT/s。随着PCIe协议传输速率的快速
提升，并依托于强大的生态系统，平台厂商、芯片厂商、终端设备厂商和测试设备厂
商的深入合作，PCIe已成为主流互连接口，全面覆盖了包括PC机、服务器、存储系统
、手持计算等各种计算平台，有效服务云计算、企业级计算、高性能计算、人工智能
和物联网等应用场景。
然而，一方面随着应用不断发展推动着PCIe标准迭代更新，速度不断翻倍
，另一方面由于服务器的物理尺寸受限于工业标准并没有很大的变化，导致整个链路
的插损预算从PCIe3.0时代的22dB增加到了PCIe4.0时代的28dB,并进一步增长到了PCI
e5.0时代的36dB。
如何解决PCIe信号链路的插损问题，提高PCIe信号传输距离是业界面临的
重要问题。一种思路是选用低损PCB，但价格高昂，仅仅是主板就可能会带来较大的
成本增加，而且并不能有效覆盖多连接器应用场景；另一种思路是引入适当的链路扩
展器件如Retimer，使用PCIe Retimer芯片，采用模拟信号和数字信号调理技术、重
定时技术，来补偿信道损耗并消除各种抖动的影响，从而提升PCIe信号的完整性，增
加高速信号的有效传输距离。
因此，PCIe Retimer芯片作为PCIe协议升级迭代背景下新的芯片需求，其
主要解决数据中心、服务器通过PCIe协议在数据高速、远距离传输时，信号时序不齐
、损耗大、完整性差等问题。相比于市场其他技术解决方案，现阶段Retimer芯片的
解决方案在性能、标准化和生态系统支持等方面具有一定的比较优势，未来根据系统
配置，Retimer芯片可以灵活地切换PCIe或CXL模式，更受用户青睐。
而随着传输速率从PCIe4.0的16GT/s到PCIe5.0的32GT/S，再次实现翻倍，R
etimer芯片技术路径的优势更加明显。根据目前行业发展趋势，到PCIe5.0时代，PCI
e Retimer芯片已成为行业主流解决方案。
根据TrendForce于2024年7月份做出的预测，今年大型云端服务供应商预算
持续聚焦于采购AI服务器，AI服务器维持高成长态势，预计AI服务器占整体服务器出
货的比重将达12.2%，较2023年提升约3.4个百分点，2024年AI服务器产值将达1,870
亿美元，成长率达69%，产值占整体服务器高达65%。TrendForce预计，2024年全球AI
服务器数量将达到167万台。
随着AI服务器需求快速增长，将显著提升PCIe Retimer芯片的需求，以一
台典型的配8块GPU的主流AI服务器为例，考虑对信号完整性和传输速率的要求，系统
需要配置8颗或16颗PCIe Retimer芯片。
（6）CXL行业情况
随着人工智能时代的日益临近，对支持快速接口和易扩展性的内存平台的
需求变得越来越明显，而基于CXL的新型DRAM模块可能是未来人工智能时代中最具前
景的内存解决方案之一。
从2019年到2023年，CXL经历了高速的发展，其应用涉及服务器端，以及存
储产品与解决方案端这两大层面。在过去2年时间里，已经有多家厂商发布CXL相关元
件、产品，以及成套解决方案。2022年底到2023年初，随着AMD发布第四代EPYC（代
号Genoa），以及英特尔发布第四代Xeon Scalable（代号Sapphire Rapids），新款
处理器平台上市将CXL技术应用到服务器端，完善CXL的应用环境。
经过数年的发展，目前CXL的生态已经初步形成。在元件层级的芯片供应商
与设计商，对应产品包括：CXL控制器（Controller）、定时器（Retimers）、交换
器（Switch）产品。系统层级，目前有三星、SK Hynix、美光等厂商推出扩展存储类
型的CXL产品。
根据Yole Group2023年10月的预测，全球CXL市场规模预计在2028年将达到
150亿美元。尽管目前只有不到10%的CPU与CXL标准兼容，但预计到2027年，所有CPU
都将被设计为支持CXL接口，这将进一步推动CXL市场的发展。
（7）时钟芯片行业情况
时钟芯片是为电子系统提供其必要的时钟脉冲的芯片。在数字系统中，时
钟脉冲是集成电路运转的节拍器，在电子系统中扮演着“心脏”的重要角色。高频/
高性能数字模块的正确运行需要时钟芯片提供精准的时钟脉冲（节拍）来同步运算操
作和数据传输交互。时钟脉冲的性能决定了系统是否能运行到目标速度，时钟芯片不
达标有可能导致模块或设备无法运作。因此，时钟芯片提供的输出时钟需要具备极高
的可靠性、宽广的输出频率范围、优良的抖动特性以及扩频功能。
目前，时钟芯片种类主要包括时钟发生器、去抖时钟芯片和时钟缓冲芯片
等细分产品。时钟发生器是根据参考时钟来合成多个不同频率时钟的芯片，它是时钟
芯片的一个重要类别，是数据中心、工业控制、新能源汽车等领域的基础芯片；去抖
时钟芯片是为其他芯片提供低抖动低噪声的参考时钟的芯片；时钟缓冲芯片是用于时
钟脉冲复制、格式转换、电平转化等功能的芯片。
根据DBMR的数据，2023年时钟芯片的市场规模合计为14亿美元，预计到203
0年可达到21亿美元，其中2023年时钟发生器芯片市场规模约为7.08亿美元，预计到2
030年可达到10.82亿美元。由于时钟芯片在电子系统中广泛且重要的作用，同时其设
计难度较大、技术水平要求较高，因此该类产品的主要市场份额长期被少数几家美日
厂商占据。
（8）AI芯片行业情况
按基本功能划分，AI芯片可分为训练芯片和推理芯片；按技术路径划分，A
I芯片可分为GPU、FPGA、ASIC芯片。
近年来人工智能的发展呈现出数据体量爆发式增长态势，算法模型的参数
量指数级增加，以加速计算为核心的算力中心对AI芯片的需求不断扩大。以ChatGPT
为代表的基于海量多源数据的大模型，对算力的需求非常高，随着AI模型和应用的进
一步发展和规模化，算力需求将持续释放，大算力芯片的市场规模持续增长，将快速
推动AI芯片的性能升级。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
（1）内存接口芯片、内存模组配套芯片及时钟驱动器（CKD）
澜起的内存接口芯片受到了市场及行业的广泛认可，公司凭借具有自主知
识产权的高速、低功耗技术，为新一代服务器平台提供完全符合JEDEC标准的高性能
内存接口解决方案，是全球可提供从DDR2到DDR5内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的
主要供应商之一，在该领域拥有重要话语权。
产品标准制定方面，澜起是全球微电子行业标准制定机构JEDEC固态技术协
会的董事会成员之一，在JEDEC下属的四个委员会及分会中安排员工担任主席或副主
席职位，深度参与JEDEC相关产品的标准制定。其中，公司牵头制定多款DDR5内存接
口芯片标准，包括DDR5RCD芯片及MDB芯片，并积极参与DDR5CKD芯片和DDR5内存模组
配套芯片标准制定。
技术实力方面，澜起处于国际领先水平。公司发明的DDR4全缓冲“1+9”架
构被JEDEC国际标准采纳。该架构在DDR5世代演化为“1+10”框架，继续作为LRDIMM
的国际标准，并进一步作为基础架构衍生出MRDIMM国际标准。在DDR5世代，公司在内
存接口芯片领域继续全球领跑，进一步巩固了在该领域的优势。2021年10月，公司量
产DDR5第一子代内存模组芯片及内存模组配套芯片；2022年5月，公司在业界率先试
产DDR5第二子代RCD芯片；2023年10月，公司DDR5第三子代RCD芯片在业界率先试产；
2024年1月，公司推出支持7200MT/s速率的DDR5第四子代RCD芯片；目前公司正在研发
DDR5第五子代RCD芯片。
市场份额方面，澜起在DDR4世代逐步确立了行业领先优势，是全球可提供D
DR4内存接口芯片的三家主要厂商之一，占据全球市场的重要份额。在DDR5世代，公
司继续领跑，内存接口芯片的市场份额保持稳定。公司可为DDR5系列内存模组提供完
整的内存接口及模组配套芯片解决方案，是目前全球可提供全套解决方案的两家公司
之一。
基于在内存接口芯片领域的行业领先地位，澜起在高带宽内存接口芯片MRC
D/MDB方面也保持领先，该产品将用于服务器新型高带宽内存模组MRDIMM。根据公开
信息及客户反馈，目前全球可以提供DDR5第一子代MRCD/MDB芯片（支持速率为8800MT
/S）的供应商为2家。澜起牵头制定MDB芯片国际标准，研发进度行业领先，产品的技
术表现具有竞争优势。目前，搭配澜起MRCD/MDB芯片的服务器高带宽内存模组已在境
内外主流云计算/互联网厂商开始规模试用。
在时钟驱动器（CKD）芯片领域，澜起研发进度相对领先，产品具有较强竞
争力，该产品将用于数据速率达到6400MT/s及以上的台式机/笔记本电脑CSODIMM和CU
DIMM。澜起于2024年4月在业界率先试产CKD芯片，该产品已从第二季度开始规模出货
。
（2）PCIe Retimer芯片
在PCIe4.0时代，澜起是全球量产PCIe4.0Retimer芯片的三家企业之一；在
PCIe5.0时代，公司于2023年1月量产PCIe5.0/CXL2.0Retimer芯片，是全球第二家量
产该产品的厂家。
作为全球领先的PCIe5.0/CXL2.0Retimer芯片供应商之一，公司自研的PCIe
SerDes IP已成功应用于该产品中，自研IP带来了良好的整合性，在产品的时延、信
道适应能力方面，公司具有一定的优势。
基于上述竞争优势，澜起的PCIe Retimer芯片正在获得越来越多客户及下
游用户的认可，并从2024年第一季度开始规模出货，并在第二季度实现出货量翻倍增
长，市占率明显提升，呈现良好成长态势。
（3）MXC芯片
澜起在2022年5月全球首发MXC芯片后，已与全球多家顶级云计算厂商及内
存龙头企业开展合作。2023年5月，三星电子推出其首款支持CXL2.0的128GB DRAM，
加速下一代存储器解决方案的商用化进程，澜起的MXC芯片作为该解决方案的核心控
制芯片器而被采用。2023年8月，澜起的MXC芯片顺利通过了CXL联盟的数十项严苛测
试，成为全球首家通过测试的内存扩展控制器产品，与国际知名CPU和存储器厂商的
产品在CXL官网并列展示，彰显了业界对澜起技术实力的认可。
目前，公司与主要内存模组、服务器系统厂商的多个合作项目进展顺利，
可为数据中心和云服务厂商提供灵活的解决方案，满足客户在数据库，AI训练等内存
高带宽场景下的需求。
未来，公司将继续深化与CPU、存储器、服务器及云服务厂商的合作，紧跟
技术前沿，不断推进产品更新迭代，致力于为实现CXL生态的成熟完善和CXL技术的广
泛应用不断贡献力量，保持公司在该领域的市场领先地位。
（4）津逮服务器平台
津逮服务器平台是澜起面向中国市场设计的本土服务器平台解决方案，其
技术具有独创性、先进性，且该产品线可持续更新迭代。鉴于服务器CPU以及内存模
组的市场准入门槛较高，需要较长的测试及认证周期，公司作为行业生态的新进入者
，需要一定时间在该领域立足。
经过多年的市场拓展，津逮服务器平台已具备一定的客户基础及市场份额
，持续的更新迭代提高了津逮CPU的产品竞争力，坚持不懈的客户导入和及时的本地
服务也逐步获得客户与市场的认可。2024年6月，澜起科技发布全新第六代津逮能效
核CPU，单颗CPU最高支持144个核心，最大三级缓存容量达108MB。产品支持单路或者
双路设计，支持4组UPI用于CPU之间互联，最高UPI速度达24GT/s。支持8个内存通道
，DDR5内存速度最高达6400MT/s。在IO方面，C6E支持PCIe5.0和CXL2.0扩展，最多支
持88个PCIe通道。
同月，公司发布津逮服务器平台产品线的一款新产品——数据保护和可信
计算加速芯片，该芯片融合了数据加解密和平台可信度量两大核心功能，兼具高性能
、泛在可信等优势，为信息安全领域提供高性能、高安全性、高性价比且便捷易用的
一体化解决方案。该款芯片用于解决数据中心等高并发数据加解密运算的需求，同时
因为其具有低功耗特点，也适用于端侧、边缘侧、嵌入式系统中对数据和平台安全有
需求的场景。
（二）报告期内公司所从事的主要业务
公司是一家国际领先的数据处理及互连芯片设计公司，致力于为云计算和
人工智能领域提供高性能、低功耗的芯片解决方案，目前公司拥有两大产品线，互连
类芯片产品线和津逮服务器平台产品线。在人工智能时代，计算机的“算力”和“存
力”需求快速增长，系统对“运力”提出了更高的需求。澜起科技是一家为计算和智
算提供高性能“运力”的企业，公司多款高速互连芯片产品可有效提升系统的“运力
”，将在未来的人工智能时代发挥重要作用。
公司的互连类芯片产品主要包括内存接口芯片（含MRCD/MDB芯片）、内存
模组配套芯片、CKD芯片、PCIe Retimer芯片、MXC芯片等，津逮服务器平台产品包括
津逮CPU和混合安全内存模组（HSDIMM）。
互连类芯片产品线
1、内存接口芯片
内存接口芯片是服务器内存模组（又称“内存条”）的核心逻辑器件，作
为服务器CPU存取内存数据的必由通路，其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳
定性，满足服务器CPU对内存模组日益增长的高性能及大容量需求。内存接口芯片需
与内存厂商生产的各种内存颗粒和内存模组进行配套，并通过服务器CPU、内存和OEM
厂商针对其功能和性能（如稳定性、运行速度和功耗等）的全方位严格认证，才能进
入大规模商用阶段。因此，研发此类产品不仅要攻克内存接口的核心技术难关，还要
跨越服务器生态系统的高准入门槛。
现阶段，DDR4及DDR5内存接口芯片按功能可分为两类：一是寄存缓冲器（R
CD），用来缓冲来自内存控制器的地址、命令、时钟、控制信号；二是数据缓冲器（
DB），用来缓冲来自内存控制器或内存颗粒的数据信号。RCD与DB组成套片，可实现
对地址、命令、时钟、控制信号和数据信号的全缓冲。仅采用了RCD芯片对地址、命
令、时钟、控制信号进行缓冲的内存模组通常称为RDIMM（寄存双列直插内存模组）
，而采用了RCD和DB套片对地址、命令、时钟、控制信号及数据信号进行缓冲的内存
模组称为LRDIMM（减载双列直插内存模组）。
澜起凭借具有自主知识产权的高速、低功耗技术，长期致力于为新一代服
务器平台提供符合JEDEC标准的高性能内存接口解决方案。随着JEDEC标准和内存技术
的发展演变，公司先后推出了DDR2-DDR5系列内存接口芯片，可应用于各种缓冲式内
存模组，包括RDIMM及LRDIMM等，满足高性能服务器对高速、大容量的内存系统的需
求。目前，公司的DDR4及DDR5内存接口芯片已成功进入国际主流内存、服务器和云计
算领域，并占据全球市场的重要份额。
目前，内存模组行业正从DDR4世代向DDR5世代切换。DDR5是JEDEC标准定义
的第5代双倍速率同步动态随机存取存储器标准。与DDR4相比，DDR5采用了更低的工
作电压（1.1V），同时在传输有效性和可靠性上又迈进了一步，其支持的最高速率可
超过6400MT/S，是DDR4最高速率的2倍以上。
（1）DDR5第一子代RCD芯片支持双通道内存架构，命令、地址、时钟和控
制信号1：2缓冲，并提供奇偶校验功能。该芯片符合JEDEC标准，支持DDR5-4800速率
，采用1.1V工作电压，更为节能。该款芯片除了可作为中央缓冲器单独用于RDIMM之
外，还可以与DDR5DB芯片组成套片，用于LRDIMM，以提供更高容量、更低功耗的内存
解决方案。
（2）DDR5第一子代DB芯片是一款8位双向数据缓冲芯片，该芯片与DDR5RCD
芯片一起组成套片，用于DDR5LRDIMM。该芯片符合JEDEC标准，支持DDR5-4800速率，
采用1.1V工作电压。在DDR5LRDIMM应用中，一颗DDR5RCD芯片需搭配十颗DDR5DB芯片
，即每个子通道配置五颗DB芯片，以支持片上数据校正，并可将数据预取提升至最高
16位，从而为高端多核服务器提供更大容量、更高带宽和更强性能的内存解决方案。
（3）2022年5月，公司在业界率先试产DDR5第二子代RCD芯片。DDR5第二子
代RCD芯片支持双通道内存架构，命令、地址、时钟和控制信号1：2缓冲，并提供奇
偶校验功能。该芯片符合JEDEC标准，支持DDR5-5600速率，采用1.1V工作电压，更为
节能。
（4）2023年10月，公司在业界率先试产DDR5第三子代RCD芯片。DDR5第三
子代RCD芯片支持的数据速率高达6400MT/s，较第二子代RCD速率提升14.3%，较第一
子代RCD速率提升33.3%。
2、内存模组配套芯片
根据JEDEC标准，DDR5内存模组上除了内存颗粒及内存接口芯片外，还需要
三种配套芯片，分别是串行检测集线器（SPD）、温度传感器（TS）以及电源管理芯
片（PMIC)。
（1）串行检测集线器（SPD）
公司与合作伙伴共同研发了DDR5串行检测集线器（SPD），芯片内部集成了
8Kbit EEPROM、I2C/I3C总线集线器（Hub）和温度传感器（TS），适用于DDR5系列内
存模组（如LRDIMM、RDIMM、UDIMM、SODIMM等），应用范围包括服务器、台式机及笔
记本内存模组。SPD是DDR5内存模组不可或缺的组件，也是内存管理系统的关键组成
部分，其包含如下几项功能：
第一，其内置的SPD EEPROM是一个非易失性存储器，用于存储内存模组的
相关信息以及模组上内存颗粒和相关器件的所有配置参数。根据JEDEC的内存规范，
每个内存模组都需配置一个SPD器件，并按照JEDEC规范的数据结构编写SPD EEPROM的
内容。主板BIOS在开机后会读取SPD内存储的信息，并根据读取到的信息来配置内存
控制器和内存模组。DDR5SPD数据可通过I2C/I3C总线访问，并可按存储区块（block
）进行写保护，以满足DDR5内存模组的高速率和安全要求。
第二，该芯片还可以作为I2C/I3C总线集线器，一端连接系统主控设备（如
CPU或基板管理控制器（BMC）），另一端连接内存模组上的本地组件，包括RCD、PMI
C和TS，是系统主控设备与内存模组上组件之间的通信中心。在DDR5规范中，一个I2C
/I3C总线上最多可连接8个集线器（8个内存模组），每个集线器和该集线器管理下的
每个内存模组上的本地组件都被指定了一个特定的地址代码，支持唯一地址固定寻址
。
第三，该芯片还内置了温度传感器（TS），可连续监测SPD所在位置的温度
。主控设备可通过I2C/I3C总线从SPD中的相关寄存器读取传感器检测到的温度，以便
于进行内存模组的温度管理，提高系统工作的稳定性。
（2）温度传感器（TS）
公司与合作伙伴共同研发了DDR5高精度温度传感器（TS）芯片，该芯片符
合JEDEC规范，支持I2C和I3C串行总线，适用于DDR5服务器RDIMM和LRDIMM内存模组。
TS作为SPD芯片的从设备，可以工作在时钟频率分别高达1MHz I2C和12.5MHz I3C总线
上；CPU可经由SPD芯片与之进行通讯，从而实现对内存模组的温度管理。TS是DDR5服
务器内存模组上重要组件，目前主流的DDR5服务器内存模组配置2颗TS。
（3）电源管理芯片（PMIC）
公司与合作伙伴共同研发了符合JEDEC规范的DDR5低/高电流电源管理芯片
（PMIC）。该芯片包含4个直流-直流降压转换器，两个线性稳压器（LDO，分别为1.8
V和1.0V），并能支持I2C和I3C串行总线，适用于DDR5服务器RDIMM和LRDIMM内存模组
。PMIC的作用主要是为内存模组上的其他芯片（如DRAM、RCD、DB、SPD和TS等）提供
电源支持。CPU可经由SPD芯片与之进行通讯，从而实现电源管理。低电流电源管理芯
片应用于DDR5服务器较小电流的RDIMM内存模组，高电流电源管理芯片则应用于DDR5
服务器较大电流的RDIMM和LRDIMM内存模组。
澜起可为DDR5系列内存模组提供完整的内存接口及模组配套芯片解决方案
，是目前全球可提供全套解决方案的两家公司之一。
3、为智算提供高性能“运力”芯片解决方案（互连类芯片新产品）
AI相关应用的快速发展将推动“算力”和“存力”需求快速增长，系统需
要更高、更强的算力，需要带宽更高、容量更大的内存。在“算力”和“存力”增长
的同时，对“运力”也提出了更高的需求。“运力”是指在计算和存储之间搬运数据
的能力，人工智能时代，系统需要更大的运力，需要更高的带宽、更快的传输。
公司近年来深耕相关互连技术，包括高带宽内存互连、PCIe互连以及CXL互
连技术等，这些高速互连技术可以有效提升系统的“运力”，公司基于上述技术研发
的几款芯片，包括MRCD/MDB、CKD、PCIe Retimer、MXC芯片等，将在未来的人工智能
时代发挥重要作用。
（1）MRCD/MDB芯片
MRCD、MDB芯片是服务器高带宽内存模组MRDIMM的核心逻辑器件。AI及大数
据应用的发展以及相关技术的演进推动服务器CPU的内核数量快速增加，迫切需要大
幅提高内存系统的带宽，以满足多核CPU中各个内核的数据吞吐要求，MRDIMM正是基
于这种应用需求而生。MRDIMM是一种更高带宽的内存模组，第一代产品可支持8800MT
/s速率，每个MRDIMM模组需要搭配1颗MRCD芯片及10颗MDB芯片。
MRDIMM工作原理为：MDB芯片用来缓冲来自内存控制器或DRAM内存颗粒的数
据信号，在标准速率下，通过MDB芯片可以同时访问两个DRAM内存阵列（RDIMM只能访
问一个阵列），从而实现双倍的带宽。MRCD用来缓冲来自内存控制器的地址、命令、
时钟、控制信号。MRDIMM的特点和优势在于：（i）使用的是常规的DRAM颗粒；(ii)
与现有DDR5生态系统有良好的适配性；（iii）可以大幅提升内存模组的带宽。
从下游应用来看，预计MRDIMM在高性能计算、AI等对内存带宽敏感的应用
领域，将有较大的需求。随着MRDIMM未来渗透率的提升，将带动MRCD/MDB（特别是MD
B）芯片需求大幅增长。
（2）CKD芯片
长久以来，时钟驱动功能一直集成在寄存时钟驱动器（Register Clock Dr
iver）芯片中，应用于服务器RDIMM或LRDIMM内存模组，但尚未在PC端部署。随着DDR
5传输速率持续提升，时钟信号频率越来越高，时钟信号完整性问题日益凸显。当DDR
5数据速率达到6400MT/s及以上时，PC端的内存模组（如台式机的UDIMM和笔记本电脑
的SODIMM）需采用专用时钟驱动器（CKD）芯片，对内存模组上的时钟信号进行缓冲
和重新驱动，才能满足高速时钟信号的完整性和可靠性要求。
澜起的DDR5第一子代时钟驱动器（CKD）芯片，应用于客户端内存，最高支
持7200MT/s速率，旨在提高客户端内存数据访问的速度及稳定性，以匹配日益提升的
CPU运行速度及性能。该CKD芯片符合最新的JEDEC标准，支持双边带总线地址访问及I
C、I3C接口。通过配置寄存器控制字，该芯片可改变其输出信号特性以匹配不同DIMM
的网络拓扑，还可通过禁用未使用的输出信号以降低功耗。
由于AI PC需要更高内存带宽来提升整体运算性能，AI PC渗透率的提升或
将加速DDR5子代迭代，并增加对更高速率DDR5内存的需求。因此，AI PC应用的普及
将助推CKD芯片的需求提升。
（3）PCIe Retimer芯片
PCIe Retimer芯片是适用于PCIe高速数据传输协议的超高速时序整合芯片
，这是公司在全互连芯片领域布局的一款重要产品。
近年来，高速数据传输协议从PCIe3.0（8GT/S）发展至PCIe4.0（16GT/S）
，再升级至PCIe5.0（32GT/S），数据传输速率不断翻倍，同时也带来了显著的信号
衰减和参考时钟时序重整问题，这些问题较大限制了超高速数据传输协议在下一代计
算平台的应用范围。PCIe4.0/5.0的高速传输挑战促进了优化高速电路与系统互连设
计的需求，加大了在超高速传输环境下保持信号完整性的研发热度。为了补偿高速信
号的损耗，提升信号质量，通常需在链路中引入超高速时序整合芯片（Retimer）。P
CIe Retimer芯片已成为高速电路中不可或缺的重要器件，主要解决数据中心数据高
速、远距离传输时，信号时序不齐、损耗严重、完整性差等问题。
公司的PCIe Retimer芯片采用先进的信号调理技术，能够补偿信道损耗并
消除各种抖动源的影响，从而提升信号完整性，增加高速信号的有效传输距离，为服
务器、存储设备及硬件加速器等应用场景提供可扩展的高性能PCIe互连解决方案。其
中，PCIe4.0Retimer芯片符合PCIe4.0基本规范，PCIe5.0/CXL2.0Retimer符合PCIe5.
0和CXL2.0基本规范，支持业界主流封装，其功耗、传输延时等关键性能指标达到国
际先进水平，并已与CPU、PCIe交换芯片、固态硬盘、GPU及网卡等进行了广泛的互操
作测试。
公司已成功量产PCIe4.0Retimer和PCIe5.0Retimer芯片。
公司的PCIe4.0/5.0Retimer芯片可应用于AI服务器、NVMe SSD、Riser卡等
典型应用场景，同时，公司提供基于该款芯片的参考设计方案、评估板及配套软件等
完善的技术支持服务，帮助客户快速完成导入设计，缩短新产品上市周期。PCIe4.0/
5.0Retimer芯片的典型应用场景图示如下：
人工智能时代，随着AI服务器需求的快速增长，PCIe Retimer芯片的重要
性愈加凸显。目前，一台典型配置8块GPU的主流AI服务器需要8颗或16颗PCIe Retime
r芯片。未来，PCIe Retimer芯片的市场空间将随着GPU需求量的增加而持续扩大。
（4）MXC芯片
MXC芯片是一款CXL内存扩展控制器芯片，属于CXL协议所定义的第三种设备
类型。该芯片支持JEDEC DDR4和DDR5标准，同时符合CXL2.0规范，支持PCIe5.0传输
速率。该芯片可为CPU及基于CXL协议的设备提供高带宽、低延迟的高速互连解决方案
，实现CPU与各CXL设备间的内存共享，在大幅提升系统性能的同时，显著降低软件堆
栈复杂性和数据中心总体拥有成本（TCO）。
MXC芯片主要应用于内存扩展及内存池化领域，为内存AIC扩展卡、背板及E
DSFF内存模组而设计，可大幅扩展内存容量和带宽，满足高性能计算、人工智能等数
据密集型应用日益增长的需求，典型应用场景如下：
MXC芯片目前的产品应用形态主要有两种：EDSFF模组、AIC（Add In Card
）连接标准DDR5/4内存模组。
产品应用形态二：AIC（Add In Card）连接标准DDR5/4内存模组
2022年5月，澜起发布了全球首款CXL内存扩展控制器芯片（MXC）。2023年
5月，三星电子推出其首款支持CXL2.0的128GB DRAM，加速了下一代存储器解决方案
的商用化进程，澜起的MXC芯片作为该解决方案的核心控制器而被采用。2023年8月，
澜起的MXC芯片顺利通过了CXL联盟的数十项严苛测试，成为全球首家通过测试的内存
扩展控制器产品，与国际知名CPU和存储器厂商的产品在CXL官网并列展示，彰显了业
界对澜起技术实力的认可。
随着人工智能时代的日益临近，对支持快速接口和易扩展性的内存平台的
需求变得愈加迫切，而基于CXL的新型DRAM模块将是未来人工智能时代最具前景的内
存解决方案之一。
4、时钟发生器芯片
澜起的高性能可编程时钟发生器芯片，可输出1MHz至333.33MHz之间的任意
频率。该系列芯片采用澜起科技先进的I/O技术，具备出色的抖动性能，可为低相噪
声扩频应用提供覆盖频率范围很广的时钟信号。这些芯片可提供1/2/4路差分时钟输
出，支持两种扩频模式、三种PCIe参考时钟架构、三种输入参考时钟、三种控制模式
，每个输出端口特性均可独立灵活配置。所有差分时钟输出均符合PCIe Gen1/2/3/4/
5/6通用时钟及独立时钟架构规范，满足现有及未来PCIe器件的高性能需求。
凭借其独立可配置的时钟输出和超低相位抖动性能，该系列芯片能够满足P
CIe Gen5/6、100G以太网、USB3.x、WiFi6等高性能应用对输入参考时钟的严苛要求
。
津逮服务器平台产品线
津逮服务器平台主要由澜起科技的津逮CPU和混合安全内存模组（HSDIMM）
组成。该平台具备芯片级实时安全监控功能，可在信息安全领域发挥重要作用，为云
计算数据中心提供更为安全、可靠的运算平台。此外，该平台还融合了先进的异构计
算与互联技术，可为大数据及人工智能时代的各种应用提供强大的综合数据处理及计
算力支撑。
1、津逮CPU
津逮CPU是公司推出的一系列具有预检测、动态安全监控功能的x86架构处
理器，适用于津逮或其他通用的服务器平台。公司先后推出了第一代、第二代、第三
代、第四代及第五代津逮CPU，以更好满足用户对安全可靠算力日益提升的需求。
2019年5月，公司发布第一代津逮CPU；2020年8月，公司发布第二代津逮CP
U；2021年4月，公司发布第三代津逮CPU。2022年10月，公司第三代津逮CPU系列产品
通过了VMware公司的产品兼容性认证，达到VMware ESXi7.0U3虚拟化平台的通用兼容
性及性能、可靠性要求，满足用户的关键应用需求。2023年1月12日，公司发布第四
代津逮CPU。2023年12月18日，公司发布第五代津逮CPU。
2024年6月，澜起科技发布全新第六代津逮能效核CPU，单颗CPU最高支持14
4个核心，最大三级缓存容量达108MB。产品支持单路或者双路设计，支持4组UPI用于
CPU之间互联，最高UPI速度达24GT/s。支持8个内存通道，DDR5内存速度最高达6400M
T/s。在IO方面，C6E支持PCIe5.0和CXL2.0扩展，最多支持88个PCIe通道。
第六代津逮能效核CPU
2、数据保护和可信计算加速芯片
澜起的数据保护和可信计算加速芯片采用公司自主创新的Mont-TSSE可信安
全系统扩展架构和技术，将硬件级数据加解密和平台可信度量两大核心功能融合于单
一芯片之上。芯片内部集成了高速加解密、安全SoC和硬件信任根（HRoT）三个子系
统。
该芯片硬件支持SM23/4、SHA-256/384/512、AES、RSA、ECC等商密算法和
国际主流加解密算法加速，可广泛应用于对数据保密性、完整性要求极高的场景，如
AI训练和推理、分布式数据存储、零信任架构等。芯片内置多个真随机数发生器(TRN
G)，搭配PCIe5.0×8高速接口，可提供高达160Gbps的吞吐量，多颗芯片集成可实现
加密处理能力倍增，从而为数据中心提供高性能加解密算力支持，助力商密算法在数
据中心落地应用。
该芯片广泛兼容多项可信计算标准，具备出色的泛在可信优势。芯片符合T
PM、TCM和TPCM等可信计算标准，遵从商密GM/T0008-2012、GM/T0012-2020、GM/T002
8-2014等多项设计、测试、接口标准，并兼顾FIPS-140设计要求和NIST SP800-193固
件安全标准，支持MCTP/SPDM等协议。芯片可作为硬件信任根(HRoT)使用，满足可信
平台3.0规范的需求，保障服务器、台式机、嵌入式终端、加速卡(AI卡)等各类设备
启动运行期间的平台安全。
该芯片可用于解决数据中心等高并发数据加解密运算的需求，同时因为其
具有低功耗特点，也适用于端侧、边缘侧、嵌入式系统中对数据和平台安全有需求的
场景。
3、混合安全内存模组（HSDIMM）
混合安全内存模组采用公司具有自主知识产权的Mont-ICMT（Montage,Insp
ection&Control on Memory Traffic）内存监控技术，可为服务器平台提供更为
安全、可靠的内存解决方案。目前，公司推出两大系列混合安全内存模组：标准版混
合安全内存模组（HSDIMM）和精简版混合安全内存模组（HSDIMM-Lite），可为不同
应用场景提供不同级别的数据安全解决方案，为各大数据中心及云计算服务器等提供
了基于内存端的硬件级数据安全解决方案。
津逮服务器平台主要针对中国本土市场，截至目前，已有多家服务器厂商
采用津逮服务器平台相关产品，开发出了系列高性能且具有独特安全功能的服务器机
型。这些机型已应用到政务、交通等领域及高科技企业中，为用户实现了计算资源池
的无缝升级和扩容，在保障强劲运算性能的同时，更为用户的数据、信息安全保驾护
航。
在研的AI芯片
近两年，AI大模型飞速发展，AI芯片的需求发生了巨大变化，公司密切关
注行业发展趋势、下一代大模型特征以及用户需求，正在研发新一代AI芯片，旨在为
训练、推理应用场景提供稳定、易用的高性能AI算力解决方案。
二、核心技术与研发进展
1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
（1）核心技术及其先进性
公司具备自有的集成电路设计平台，包括数字信号处理技术、内存管理与
数据缓冲技术、模拟电路设计技术、高速逻辑与接口电路设计技术以及低功耗设计技
术，方案集成度高，可有效提高系统能效和产品性能。
A.内存接口相关技术
公司历经十余年的专注研发和持续投入，成为全球可提供从DDR2到DDR5内
存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一。公司的核心技术完全基于自主知
识产权，突破了一系列关键技术壁垒。由公司发明的“1+9”分布式缓冲内存子系统
框架，突破了DDR2、DDR3的集中式架构设计，创新性采用1颗寄存缓冲控制器为核心
、9颗数据缓冲控制器芯片的分布结构布局，大幅减少了CPU与DRAM颗粒间的负载效应
，降低了信号传输损耗，解决了内存子系统大容量与高速度之间的矛盾。该技术架构
最终被JEDEC国际标准采纳，提升了国际话语权，为推动国内集成电路设计产业的进
步做出了显著的贡献。该架构已在DDR5世代演化为“1+10”框架，继续作为LRDIMM的
国际标准。
公司提出了一系列创新电路和算法，改善了DDR5内存高速并行总线的信号
完整性问题。在电路上，发明高速低噪声收发器，并通过多抽头判决反馈均衡（Deci
sion Feedback Equalization，以下简称DFE），补偿远端串扰和均衡码间干扰；在
算法上，提出面向复杂电磁环境的偏差校准和自适应算法，通过均衡系数自适应的DF
E训练算法，增加眼图的电压和时序裕度。此外，公司提出的自适应电源管理和动态
时钟分配等创新技术，显著降低了相关内存接口芯片的功耗。公司相关技术达到国际
领先水平，已量产的内存接口芯片可支持DDR5内存最高速率（6400MT/s），产品性能
保持全球领先。
公司经过DDR系列产品的持续不断创新与积累，掌握了DDR5高速内存接口所
需的关键设计技术，开发了高速高精度自动化测试技术与平台，加快了产品设计、全
面评估与迭代速度，为DDR5新一代产品的研发奠定了坚实的基础。
B.SerDes高速串行接口技术
SerDes是高速互连领域重要的基础技术。SerDes是SERializer（串行器）/
DESerializer（解串器）的简称，它是一种主流的时分多路复用、点对点的串行通信
技术，即在发送端将多路低速并行信号转换成高速串行信号，经过传输媒体（光缆或
铜缆），最后在接收端将高速串行信号重新转换成低速并行信号。作为一种重要的底
层技术，SerDes是相关重要高速传输技术（比如PCIe、USB、以太网等）的物理层基
础，广泛应用于服务器、异构计算、汽车电子、通信等领域的高速互连。
公司持续投入SerDes技术的研发，该项技术的突破为公司相关新产品的研
发奠定了基础。公司已成功研发数据速率为32GT/s的SerDes IP，并应用在PCIe5.0/C
XL2.0Retimer产品中，报告期内，公司按计划推进数据速率为64GT/s的SerDes IP的
研发。
（2）核心技术在报告期内的变化情况
2024年，公司通过在DDR5内存接口芯片技术方面持续投入研发，继续保持
在该领域核心技术的领先性，相关技术成果已经在DDR5第四子代内存接口芯片上得以
应用，公司于2024年1月推出了支持7200MT/s数据速率的DDR5第四子代RCD芯片。同时
，公司在PCIe6.0SerDes IP研发上取得重大进展，相关IP将应用于公司在研的PCIe6.
0Retimer产品中。
2.报告期内获得的研发成果
（1）互连类芯片产品线
2024年上半年，公司积极开展互连类芯片的迭代研发，其中取得了如下重
大进展：
公司发布DDR5第四子代RCD芯片，并送样给内存模组厂商，开展量产前的认
证工作；
公司率先试产DDR5CKD芯片，并积极推进规模出货前的准备工作；
公司PCIe6.0Retimer芯片关键IP的开发及验证取得重大进展，有序推进PCI
e6.0Retimer芯片的工程研发；
公司完成了时钟发生器芯片量产版本的研发，并推动量产前的准备工作。
（2）津逮服务器平台产品线
2024年6月，公司正式发布第六代津逮CPU，该产品专为高密度和横向扩展
工作负载而设计，在密度、能效、吞吐量和可扩展性方面进行了全面优化。
同月，公司正式发布津逮服务器平台产品线的一款新产品——数据保护和
可信计算加速芯片。该芯片融合了数据加解密和平台可信度量两大核心功能，兼具高
性能、泛在可信等优势，为信息安全领域提供高性能、高安全性、高性价比且便捷易
用的一体化解决方案。
公司在2024年上半年获得的各项知识产权情况如下：
A、专利
2024年上半年，公司已获授权的发明专利共11项。
B、集成电路布图设计
2024年上半年，公司共获得9项集成电路布图设计证书。
2、上表所列是公司独家拥有的知识产权数据，除此之外，公司还与多家合
作伙伴共同申请了10项中国专利（其中2项已获授权，8项还在实审中）。
3.研发投入情况表
一、在研项目情况
2、“互连类芯片研发项目”及“津逮服务器平台研发项目”的“预计总投
资规模”为2023年至2025年累计对各个项目投入的预估（包括研发投入及其他投入）
，本期投入金额和累计投入金额均指研发投入金额，累计投入金额从2023年1月1日起
算。
3、“人工智能芯片研发项目”的“预计总投资规模”为2024年至2025年累
计投入金额的预估（包括研发投入及其他投入），本期投入金额和累计投入金额均指
研发投入金额，累计投入金额从2024年1月1日起算。
二、经营情况的讨论与分析
公司是一家国际领先的数据处理及互连芯片设计公司，致力于为云计算和
人工智能领域提供高性能、低功耗的芯片解决方案。2024年以来，行业需求逐步恢复
，DDR5下游渗透率提升，公司内存接口及模组配套芯片需求实现恢复性增长，此外公
司部分AI“运力”芯片新产品开始规模出货，为公司贡献新的业绩增长点，因此，20
24年上半年公司经营业绩较上年同期实现大幅增长。报告期内具体经营情况如下：
（一）行业需求回暖叠加新产品上量，经营业绩显著成长
1、2024上半年营业收入、净利润同比大幅增长
2024年上半年，全球服务器及计算机行业迎来显著的需求回暖，公司把握
行业复苏机遇，加大新产品市场推广力度，实现营业收入及净利润显著增长。2024上
半年公司实现营业收入16.65亿元，较上年同期增长79.49%，其中，互连类芯片产品
线销售收入约为15.28亿元，较上年同期增长67.89%；津逮服务器平台产品线销售收
入约为1.30亿元，较上年同期增长845.69%；归属于母公司所有者的净利润为5.93亿
元，较上年同期增长624.63%，归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润为5
.44亿元，较上年同期增长14,177.86%；经营活动产生的现金流量净额为8.20亿元，
高于同期净利润金额。一方面，行业需求实现恢复性增长，DDR5下游渗透率提升且DD
R5子代迭代持续推进，带动公司内存接口及模组配套芯片销售收入同比大幅增长；另
一方面，公司部分AI高性能“运力”芯片新产品开始规模出货，以上两方面因素共同
推动公司2024年上半年营业收入实现大幅增长。净利润增长的主要原因包括：（1）
营业收入较上年同期增长79.49%；（2）毛利率较上年同期提升1.45个百分点，推动
毛利润绝对值增加。
报告期内公司股份支付费用为0.25亿元，该费用计入经常性损益，对归属
于母公司所有者的净利润影响为0.22亿元（已考虑相关所得税费用的影响）。因此，
报告期内剔除股份支付费用影响后的归属于母公司所有者的净利润为6.15亿元，较上
年同期增长337.32%；报告期内剔除股份支付费用影响后的归属于母公司所有者的扣
除非经常性损益的净利润为5.66亿元，较上年同期增长804.62%。
2、2024年第二季度多项财务指标创历史新高
2024年第二季度，公司实现营业收入9.28亿元，同比增长82.59%，环比增
长25.83%；实现归属于母公司所有者的净利润3.70亿元，同比增长4.95倍，环比增长
65.50%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润3.25亿元，同比增长
91.33倍，环比增长47.81%，创公司单季度归属于母公司所有者的扣除非经常性损益
的净利润历史新高。
2024年第二季度，公司互连类芯片产品线销售收入为8.33亿元，环比增长1
9.92%，创该产品线单季度历史新高，毛利率为63.68%，环比提升2.75个百分点。互
连类芯片收入增长的原因包括：（1）随着DDR5渗透率进一步提升，公司的内存接口
及模组配套芯片销售收入环比稳健增长；（2）受益于AI产业浪潮，公司的三款高性
能“运力”芯片新产品呈现快速成长态势，第二季度销售收入合计约1.3亿元，环比
翻倍以上成长。
（二）DDR5渗透提升且子代持续迭代，澜起保持行业领先地位
随着支持DDR5主流服务器及客户端CPU平台陆续上市，DDR5内存在下游持续
渗透，作为内存接口芯片行业的领跑者和DDR5RCD芯片国际标准的牵头制定者，公司
凭借强大的技术实力，在DDR5子代迭代上持续保持领先。
2024年上半年，DDR5渗透率继续提升且子代持续迭代，公司DDR5第二子代R
CD芯片出货量已超过第一子代RCD芯片，第三子代RCD芯片将从2024年下半年开始规模
出货，预计DDR5内存接口芯片出货量将在2024年第三季度超过DDR4内存接口芯片。报
告期内，公司推出DDR5第四子代RCD芯片，并开展第五子代RCD芯片的工程研发。凭借
研发进度领先、产品性能的稳定性和可靠性，公司将把握DDR5迭代升级的产业趋势，
进一步巩固行业领先地位，受益于相关产品市场规模扩大带来的红利。
（三）受益于AI产业趋势，多款高性能“运力”芯片新产品快速成长
AI相关应用推动算力、存力需求快速增长，对“运力”提出了更大需求，
未来“运力”是提升AI系统整体性能的关键，相关芯片市场具有巨大的潜力。公司聚
焦“运力”需求，布局了一系列高速互连芯片解决方案，包括PCIe Retimer、MRCD/M
DB、CKD、MXC等多款芯片。
经过前期战略布局和持续的研发投入，公司的三款AI高性能“运力”新产
品从今年上半年陆续开始规模出货，并呈现快速成长态势。
1、PCIe Retimer芯片：受益于全球AI服务器需求旺盛以及公司市场份额提
升，公司的PCIe Retimer芯片出货量快速增长，继2024年第一季度出货约15万颗之后
，第二季度出货约30万颗；根据截至2024年7月22日公司订单情况，预计第三季度交
付的PCIe Retimer芯片在手订单数量约为60万颗，环比进一步大幅成长。
PCIe Retimer芯片将在未来几年为公司贡献新的业绩增长点，增长因素主
要包括以下三个方面：
（1）AI服务器需求增加。一台典型的配置8块GPU的主流AI服务器需要8颗
或16颗PCIe Retimer芯片。未来，PCIe Retimer芯片的市场空间将随着AI服务器需求
量的增加而持续扩大。
（2）市场份额提升。由于澜起自研该产品核心底层技术SerDes IP，因此
在产品时延、信道适应能力等方面具有竞争优势，澜起科技的PCIe Retimer芯片正在
获得越来越多客户及下游用户的认可，并持续导入下游用户的AI服务器采购新项目。
（3）PCIe5.0生态逐步渗透。PCIe Retimer芯片是未来数据中心领域重要
的互连芯片，可用于CPU与GPU、NVMe SSD、Riser卡等典型高速外设的互连。目前行
业正在由PCIe4.0向PCIe5.0迁移，同时传输速率从PCIe4.0的16GT/s翻倍至PCIe5.0的
32GT/S，未来需要用到PCIe Retimer芯片的场景会越来越多。
目前，全球实现量产并出货PCIe5.0Retimer芯片的供应商主要是两家，公
司的PCIe Retimer芯片第二季度出货量实现环比翻倍成长，市占率显著提升。
2、MRCD/MDB芯片：受益于AI及高性能计算对更高带宽内存模组需求的推动
，搭配澜起MRCD/MDB芯片的服务器高带宽内存模组开始在境内外主流云计算/互联网
厂商规模试用，公司的MRCD/MDB芯片销售收入快速增长，继2024年第一季度销售收入
首次超过2,000万元人民币之后，第二季度销售收入超过5,000万元人民币，实现翻倍
以上增长。
在人工智能时代，对服务器系统主内存的选择将愈加需要兼顾带宽和容量
，由于MRDIMM同时具有高带宽和大容量的优势，且生态兼容性更好，预计在AI、高性
能计算等领域有较大需求，MRDIMM将在人工智能时代发挥重要作用，有望成为AI服务
器系统主内存的优选方案。根据公开信息，支持高带宽内存模组MCR DIMM的服务器CP
U平台预计在今年下半年发布，随着相关平台在下游开始应用，将带动MRCD/MDB芯片
需求的增长。由于一根MCR DIMM标配一颗MRCD及10颗MDB芯片，因此公司在该高带宽
内存模组上可提供的芯片价值量较传统RDIMM显著增加，MRCD/MBD芯片将为公司带来
新的成长空间。
根据公开信息及客户反馈，目前全球可以提供DDR5第一子代MRCD/MDB芯片
（支持速率为8800MT/S）的供应商为2家。澜起牵头制定MDB芯片国际标准，研发进度
行业领先，产品的技术表现具有竞争优势。
3、CKD芯片：2024年4月，公司的CKD芯片在业界率先试产。受益于AI PC产
业趋势的推动，以及客户端新CPU平台（支持内存速率为6400MT/S）发布时间临近，
相关内存模组厂商开始批量采购CKD芯片用于备货，2024年第二季度公司的CKD芯片开
始规模出货，单季度销售收入首次超过1,000万元人民币。
当DDR5数据速率达到6400MT/s及以上时，PC端的内存模组（如台式机的CUD
IMM和笔记本电脑的CSODIMM）需采用专用的时钟驱动器芯片（CKD）。由于AIPC需要
更高带宽的内存提升整体运算性能，如AIPC应用加速，将进一步提升对更高速率DDR5
内存的需求，从而加快CKD芯片未来的上量节奏和整体需求量，澜起将受益于该产业
趋势。
（四）稳步推进新产品研发及迭代升级，增强核心竞争力
作为科技创新型企业，澜起坚持创新驱动发展，加大研发投入，增强公司
核心竞争力。2024年上半年，投入研发费用为3.67亿元，同比增长21.16%，占营业收
入的比例为22.03%。公司拥有国际视野的研发技术团队，截至2024年6月底，公司研
发技术人员为559人，占公司总人数的比例约为75%，研发技术人员中具有硕士及以上
学历的占比为66%。
报告期内公司稳步推进产品的研发及迭代升级，不断拓宽产品品类。
1、互连类芯片产品线：（1）发布DDR5第四子代RCD芯片，并送样给内存模
组厂商，正在研发DDR5第五子代RCD芯片及第二子代MRCD/MDB芯片；（2）率先试产DD
R5CKD芯片，并积极推进规模出货前的准备工作；（3）PCIe6.0Retimer芯片关键IP的
开发及验证取得重大进展，有序推进PCIe6.0Retimer芯片的工程研发；（4）完成了
时钟发生器芯片量产版本的研发，并推动量产前的准备工作，同时启动时钟缓冲芯片
的研发。
2、津逮服务器平台产品线：发布第六代津逮CPU，并推出新产品——数据
保护和可信计算加速芯片。
在知识产权方面，报告期内澜起共获得11项授权发明专利，新申请21项发
明专利；新提交11项集成电路布图设计登记申请并获得9项布图登记证书。
（五）完善公司治理相关制度，完成第三届董事会及监事会换届工作
2024年上半年，为提升公司规范运作水平，公司依据相关法律法规的要求
，对《公司章程》《独立董事工作细则》等7项内部制度进行了修订，并新增制定了
《重大事项内部报告制度》等3项内部制度。这些制度的修订与制定进一步强化公司
管理，确保各项工作流程的合规性和透明度，提升公司治理效能和整体运营水平。
报告期内，公司顺利完成第三届董事会、监事会换届选举工作，新设战略
及ESG委员会，持续优化公司治理结构，独立董事来自在财务审计、半导体行业和法
律等领域，有助于进一步提升董事会的多样性和综合决策能力，为公司的持续健康发
展奠定了坚实的基础。
三、风险因素
（一）核心竞争力风险
1、产品研发风险
集成电路产业发展日新月异，技术及产品迭代速度较快。芯片设计公司需
要不断地进行创新，同时对市场进行精确的把握与判断，不断推出适应市场需求的新
技术、新产品以跟上市场变化，赢得和巩固公司的竞争优势和市场地位。
公司新产品的开发风险主要来自以下几个方面：（1）公司新产品的开发存
在周期较长、资金投入较大的特点，在产品规划阶段，存在对市场需求判断失误的风
险，可能导致公司产品定位错误；（2）由于公司产品技术含量较高，公司存在对企
业自身实力判断失误的风险，主要是对公司技术开发能力的判断错误，导致公司研发
项目无法实现或周期延长；（3）由于先发性对于公司产品占据市场份额起到较大的
作用，若产品迭代期间，竞争对手优先于公司设计生产出新一代产品，公司有可能丢
失较大的市场份额，从而影响公司后续的发展。
针对上述潜在风险，一方面，公司将加强对行业新技术、新需求的动态跟
踪，加强对市场需求的研判能力；另一方面，公司积极参与各类行业标准组织，参与
甚至主导相关新产品标准的制定，从而降低后续产品研发风险。
2、人才流失风险
芯片设计行业属于技术密集型产业，对技术人员的依赖度较高。凭借公司
研发团队多年来的持续努力钻研，公司技术人员的自主开发能力不断增强。公司针对
优秀人才实施了多项激励措施，对稳定公司核心技术团队起到了积极作用。但同行业
竞争对手仍可能通过更优厚的待遇吸引公司技术人才，或公司受其他因素影响导致公
司技术人才流失，将对公司新产品的研发以及技术能力的储备造成影响，进而对公司
的盈利能力产生一定的不利影响。
针对上述潜在风险，一方面，公司为员工提供丰富的职业发展机会，让员
工在企业中获得成长；另一方面，伴随着企业的发展壮大，合理提升员工待遇，实施
股权激励在内的多种激励手段，从而吸引和留住优秀人才。
3、技术泄密风险
通过持续技术创新，公司研发技术平台处于行业内较高水平。自成立以来
，公司就十分重视对核心技术的保密，及时将研发成果申请专利，并制定了严格完善
的内控制度，保障核心技术的保密性。但存在由于核心技术人员流动、技术泄密，或
专利保护措施不力等原因，导致公司核心技术流失的风险。如前述情况发生，将在一
定程度上削弱公司的技术优势，对公司的竞争力产生不利影响。公司将进一步加强核
心技术保密的内控制度，及时处理潜在的泄密事件，有效防范技术泄密风险，维护公
司的核心技术安全。
（二）经营风险
1、客户集中风险
互连类芯片产品线是公司目前主要的利润来源，其中内存接口芯片产品的
下游为DRAM市场，直接客户为内存模组厂商。根据相关行业统计数据，在DRAM市场三
星电子、海力士、美光科技位居行业前三名，市场占有率合计超过90%，这导致公司
在该产品线的客户集中度也相对较高。如果公司产品开发策略不符合市场变化或不符
合客户需求，则公司将存在不能持续、稳定地开拓新客户和维系老客户新增业务的可
能，从而面临业绩下滑的风险。同时，由于客户相对集中度高，如果发生客户要求大
规模降价、竞争对手恶性竞争等竞争环境变化的情形，公司将面临市场份额波动、收
入下滑的风险。
公司正积极研发和推广新产品，通过扩大产品种类，降低单一产品的客户
集中风险。报告期内，公司互连类芯片产品线的多款新产品（如PCIe Retimer、MRCD
/MDB、CKD芯片）的销售收入快速增长，呈现良好成长态势。
2、供应商风险
公司为最大程度优化自身产能资源配置，同时考虑经济性原则，采取Fable
ss模式，将芯片生产及封测等工序交给外协厂商负责。自公司成立以来，公司已与外
协加工厂商建立了稳定、良好的协作关系，外协加工厂商严格按照公司的设计图纸及
具体要求进行部分工序的作业。采用外协加工的模式有利于公司将资源投入到核心工
序、核心技术研究和产品研发中去，以增强核心竞争力。但是公司存在因外协工厂生
产排期导致供应量不足、供应延期或外协工厂生产工艺存在不符合公司要求的潜在风
险。
此外，晶圆制造、封装测试均为资本及技术密集型产业，因此相关行业集
中度较高，是行业普遍现象。公司供应商集中度较高。如果上述供应商发生不可抗力
的突发事件，或因集成电路市场需求旺盛出现产能紧张等因素，晶圆代工和封装测试
产能可能无法满足公司需求，将对公司经营业绩产生一定的不利影响。如果市场环境
及供求关系发生变化，造成原材料价格上涨等情形，公司将面临成本上升、毛利率下
降等相关经营风险。
针对上述风险，公司将进一步加强与供应商的合作与沟通，建立应急处理
机制，以降低供应量不足或供应延期的风险；此外，公司将进一步完善供应商备份机
制，持续进行市场分析，及时了解原材料价格波动，优化采购策略，降低潜在经营风
险。
3、津逮服务器平台业务波动的风险
服务器市场既是未来数据中心市场的重要组成部分，也是公司未来布局云
计算、大数据、人工智能等新兴领域的重要抓手。津逮服务器平台技术壁垒高，市场
门槛高，客户验证周期长，经过前期的市场推广和客户培育，报告期内公司的津逮CP
U稳步发展，目前津逮CPU已经广泛应用于金融、政务、交通、数据中心等领域。但津
逮CPU业务在其发展初期需求并不稳定，不排除因市场、政策、客户、产能等因素的
影响而导致相关业务存在短期波动或不及预期。2023年，受宏观环境及行业去库存等
因素影响，津逮服务器平台产品线需求明显下降，相关市场的需求恢复需要一个过程
，因此，相关产品线短期收入可能存在不确定性。
公司将加强津逮服务器平台的市场推广力度，推动相关业务增长；同时，
公司也将积极拓展其他产品及业务，以降低津逮服务器平台业务波动对公司整体收入
的影响。
4、产品质量风险
公司采用Fabless的运营模式，专注于芯片的设计及研发环节，而芯片的生
产制造、封装测试则通过委外方式完成。公司的产品质量一方面取决于公司的研发设
计水平，一方面取决于委外厂商的生产管理水平。如果公司产品设计出现缺陷，或委
外厂商生产管理水平不足导致发生产品质量事故，将给公司造成直接经济损失，存在
赔偿客户以及造成公司订单减少、收入下滑、盈利下降等风险。
针对上述风险，公司将持续提升研发设计水平，通过严格的设计验证和测
试流程，减少设计缺陷，降低设计相关质量风险。同时，公司将继续执行严格的供应
商管理制度，明确产品质量责任划分与承担机制，制定晶圆和封装委外厂商的质量要
求和认证制度，加强对其产品质量的规范管理，降低制造相关质量风险。
5、存货跌价风险
公司存货主要由原材料、委托加工物资、库存商品构成。公司定期对存货
进行资产减值测试，截至2024年6月30日，公司的存货账面价值为人民币4.01亿元。
若未来市场环境发生变化、竞争加剧或技术更新导致存货过时，使得产品滞销、存货
积压，将导致公司存货跌价风险进一步增加，对公司的盈利能力产生不利影响。公司
将定期进行市场分析和竞争态势评估，及时了解市场需求变化，以调整存货采购和生
产计划；同时，公司也将进一步加强与客户的合作与沟通，提升存货周转率，有效降
低存货跌价风险。
6、知识产权风险
芯片设计属于技术密集型行业，该行业知识产权众多。在产品开发过程中
，涉及到较多专利及集成电路布图等知识产权的授权与许可，因此公司出于长期发展
的战略考虑，一直坚持自主创新的研发战略，做好自身的知识产权的申报和保护，并
在需要时购买必须的第三方知识产权，避免侵犯他人知识产权。但未来不能排除竞争
对手或第三方采取恶意诉讼的策略，阻滞公司市场拓展的可能性。同时，也不能排除
竞争对手窃取公司知识产权非法获利的可能性。公司将定期进行知识产权风险评估，
制定应急预案，以应对潜在的知识产权争议和侵权风险。
（三）财务风险
汇兑损益风险
公司日常经营的销售采购业务大部分以美元结算，且发生的外币交易在初
始确认时，按交易日的上一月的期末汇率折算为记账本位币金额，但在资产负债表日
，对于外币货币性项目采用资产负债表日即期汇率折算为记账本位币金额，导致公司
汇兑损益金额较大。
2024年上半年，公司外汇汇兑收益为人民币690.91万元。由于人民币对美
元汇率的持续波动，公司存在汇兑损失的风险。
针对上述潜在风险，公司将持续完善外汇风险管理政策，保持财务灵活性
并加强财务监控以降低汇兑风险对公司的影响。
（四）行业风险
公司是集成电路设计企业，主要从事集成电路芯片产品的设计、研发及销
售，属于集成电路行业的上游环节。集成电路行业是资本及技术密集型行业，随着技
术的更迭，行业本身呈现周期性波动的特点，并且行业周期的波动与经济周期关系紧
密。如果宏观经济发生剧烈波动或存在下行趋势，将导致行业发生波动或需求减少，
使包括公司在内的集成电路企业面临一定的行业波动风险，对经营情况造成一定的不
利影响。公司将密切关注行业及市场动态，适时调整经营策略，提高经营质量，增强
公司的竞争力和抗风险能力，以降低行业波动对公司经营造成的不利影响。
（五）宏观环境风险
1、全球贸易摩擦风险
报告期内，公司的主要客户、供应商、EDA工具授权厂商大多为境外企业。
近年来，全球贸易摩擦频发，虽然目前未对公司的经营情况产生重大不利影响，但鉴
于集成电路产业是典型的全球化分工合作行业，如果全球贸易摩擦进一步升级，有可
能造成产业链上下游交易成本增加，下游需求受限，上游供给不畅，从而将对公司的
经营造成不利影响。
2022年以来，美国出台一系列半导体出口管制政策，根据在此领域的专业
美国律师事务所的分析，截至目前相关规则对公司业务及相关人员均无直接影响。如
果相关半导体出口管制政策持续加码，不排除未来对公司业务及相关人员产生不利影
响。公司将持续关注相关规则的更新并积极做好应对措施。
2、税收优惠政策风险
根据相关规定，报告期内公司及其相关子公司享受多项税收优惠政策，包
括国家鼓励的重点集成电路设计企业税收优惠、高新技术企业税收优惠等。若未来上
述税收优惠政策发生调整，或者公司无法持续享受企业所得税减免优惠政策，则将对
公司的经营业绩和利润产生一定程度的影响。公司将持续关注并研究上述税收优惠政
策，与相关主管部门保持良好沟通，以有效管理和应对上述潜在风险。
四、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、持续的创新研发能力与领先的技术优势
澜起自创立以来，持续专注于技术研发和产品创新。公司具备自有的集成
电路设计平台，包括数字信号处理技术、内存管理与数据缓冲技术、模拟电路设计技
术、高速逻辑与接口电路设计技术以及低功耗设计技术，方案集成度高，可有效提高
系统能效和产品性能。
在内存接口技术领域，公司以技术创新为基础，发明了DDR4全缓冲“1+9”
架构，最终被JEDEC国际标准采纳，该架构在DDR5世代演化为“1+10”框架，继续作
为LRDIMM的国际标准。在DDR5世代，公司牵头制定DDR5内存接口芯片国际标准，巩固
了公司在该领域的技术领先地位。澜起科技凭借具有自主知识产权的高速、低功耗技
术，为新一代服务器平台提供完全符合JEDEC标准的高性能内存接口解决方案，是全
球可提供从DDR2到DDR5内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一，在该领
域拥有重要话语权。经过持续不断的技术创新与积累，公司的核心技术在DDR4系列产
品原有的基础上，建立了新一代DDR5高速内存接口产品所需的关键设计技术，研发出
高速高精度自动化测试技术与测试平台。在DDR5世代，澜起在内存接口芯片领域继续
全球领跑，进一步巩固了在该领域的优势。2024年1月，公司推出DDR5第四子代RCD芯
片。同时，公司可为DDR5系列内存模组提供完整的内存接口及模组配套芯片解决方案
，是目前全球可提供全套解决方案的两家厂商之一。在内存接口新的技术领域，澜起
牵头制定MDB芯片国际标准，公司是目前全球可以提供DDR5第一子代MRCD/MDB芯片（
支持速率为8800MT/S）的2家供应商之一，研发进度行业领先，产品的技术表现具有
竞争优势；公司CKD芯片研发进度领先，产品具有较强竞争力。
在PCIe技术领域，澜起是全球领先的PCIe5.0/CXL2.0Retimer芯片供应商之
一，公司自研的PCIe SerDes IP已成功应用于该产品中，自研IP带来了良好的整合性
，在产品的时延、信道适应能力方面，公司具有一定的优势。公司是全球能够提供PC
Ie4.0Retimer芯片的三家厂商之一，也是全球能够提供PCIe5.0/CXL2.0Retimer芯片
的两家厂商之一。
在CXL技术领域，公司提前进行战略布局，并于2022年5月发布全球首款CXL
内存扩展控制器芯片（MXC），相关技术处于国际领先水平。澜起已与全球多家顶级
云计算厂商及内存龙头企业开展合作。2023年5月，三星电子推出其首款支持CXL2.0
的128GB DRAM，加速下一代存储器解决方案的商用化，公司的MXC芯片被用于该解决
方案，是其中的核心控制芯片。2023年8月，公司的MXC芯片顺利通过了CXL联盟的几
十项严苛测试，成为全球首家通过测试的内存扩展控制器产品，与国际知名CPU、存
储器厂商的产品在CXL官网并列展示，表明业界对公司技术实力的认可。目前，公司
与主要内存模组、服务器系统厂商的多个合作项目进展顺利，可为数据中心和云服务
厂商提供灵活的解决方案，满足客户在数据库，AI训练等内存高带宽场景下的需求。
公司的核心技术基于自主知识产权，并形成了有规划、有策略的专利布局
。截至报告期末，公司已获授权的国内外发明专利达178项。
2、领先的市场地位和品牌优势
经过20年的发展和积淀，澜起已成为国际知名的芯片设计公司，目前公司
核心产品内存接口芯片广泛应用于各类服务器，终端客户涵盖众多知名的国内外互联
网企业及服务器厂商，在全球内存接口芯片领域的竞争中处于领先地位，实现国内自
主研发产品在该领域的突破。公司成立至今获得了多项荣誉，形成了独特的品牌优势
。2016年6月，中国电子学会认定公司“低功耗DDR系列内存缓冲控制器芯片设计技术
整体技术达到国际领先水平”；同年12月，该项技术及产业化项目荣获“中国电子学
会科学技术奖一等奖”；2017年，公司荣获三星电子颁发的“最佳供应商奖”；2018
年，公司产品“第二代DDR4内存缓冲控制器芯片”荣获中国芯“年度重大创新突破产
品”奖；2018年11月，津逮服务器CPU及其平台采用的“动态安全监控技术”获评第
五届世界互联网大会“世界互联网领先科技成果”；2019年5月，公司“高性能DDR内
存缓冲控制器芯片设计技术项目”荣获上海市人民政府颁发的“上海市技术发明一等
奖”；2020年10月，公司荣获“上海知识产权创新奖”，公司的津逮CPU荣获“中国
芯年度重大创新突破产品奖”；2021年公司当选为工信部“制造业单项冠军示范企业
”。2022年4月，公司荣获“第二十三届中国专利优秀奖”。2022年11月，公司获得
全球领先的内存和存储厂商美光科技的肯定，荣膺美光科技“杰出性能奖（半导体元
器件）”和“杰出质量奖（封装&测试材料半导体元器件）”。2023年1月，公司
荣获“国家知识产权优势企业”。2023年11月，澜起PCIe5.0/CXL2.0Retimer芯片荣
获第十八届中国芯“年度重大创新突破产品”；当月公司荣登福布斯“2023中国创新
力企业50强”榜单，并再次斩获美光科技“杰出供应商表现奖”。2023年12月，公司
荣获SK海力士“最佳供应商奖”。这一系列荣誉的获得，充分显示出市场对于公司品
牌的认可。
3、全球化的产业布局
公司不仅扎根中国，还在美国、韩国等地建立了分支机构或办事处，派驻
工程师及销售人员直接对接众多国际产业巨头，深入了解行业发展及技术水平变化趋
势，亲身经历整个行业变更，把握瞬息万变的行业动态及创新方向，有效地提升了公
司的国际市场影响力及研发效率。同时通过全球化的产业布局，公司可以合理调配全
产业资源，发挥产业协同效应，提高了公司的运营效率，有效地控制了成本。
4、人才优势
公司董事长兼首席执行官杨崇和博士曾在美国国家半导体公司等企业任职
，并于1997年与同仁共同创建硅谷模式的集成电路设计公司新涛科技。杨崇和博士于
2010年当选美国电气和电子工程师协会院士（IEEE Fellow），积累了丰富的设计、
研发和管理经验，于2015年入选全球半导体联盟亚太领袖。杨博士在2019年成为全球
微电子行业标准制定机构JEDEC“杰出管理领袖奖”首位获奖者，该奖为JEDEC组织新
设立奖项，用于表彰推动和支持JEDEC标准发展的电子行业最杰出的高级管理人士。2
022年11月，杨博士被授予IEEE终身院士（IEEE Life Fellow）称号，以表彰他多年
来在集成电路设计领域做出的杰出贡献。2023年12月，杨博士荣获“安永企业家奖20
23中国内地大奖”。公司总经理Stephen Kuong-Io Tai先生曾参与创建Marvell科技
集团并就任该公司的工程研发总监，拥有逾25年的半导体架构、设计和工程管理经验
，并于2023年荣获上海市“白玉兰纪念奖”。公司核心技术人员、研发部负责人常仲
元博士曾在IEEE学术期刊和国际会议上发表了论文逾20篇，其中3篇发表于ISSCC会议
，并作为第一作者出版了《Low Noise Wideband Amplifiers in Bipolar and CMOS
Technology》。公司在JEDEC组织中的四个委员会及分会中安排员工担任主席或副主
席职位，成为细分领域国际行业标准制定的深入参与者。公司入选全球微电子行业标
准制定机构JEDEC固态技术协会董事会，是三家入选JEDEC董事会的中国企业之一。
公司核心团队多毕业于国内外著名高校，在技术研发、市场销售、工程管
理等领域均有着丰富的阅历和实战经验。公司自成立以来就十分注重人才的培养和创
新，目前已培养了数百名在高速、低功耗和数模混合电路设计领域的专业技术人才。
目前公司员工中约75%为研发技术人员，且研发技术人员中约66%拥有硕士及以上学位
，为公司持续的产品创新提供了重要的人才基础。
5、显著的行业生态优势
公司深耕于服务器内存接口芯片市场，与全球主流的处理器供应商、服务
器厂商、内存模组厂商及软件系统提供商，建立了长期稳定的合作关系。公司在芯片
设计技术上长期积累，并深度参与行业标准制定。通过与行业生态系统内主要企业的
协同、分工、合作，公司深度优化整合行业生态系统内市场资源和技术资源，具备显
著的行业生态优势。
★2024年一季
●董事会报告对整体经营情况的讨论与分析:
1、2024年第一季度，内存接口芯片需求实现恢复性增长，公司部分新产品（如
PCIe Retimer、MRCD/MDB芯片）开始规模出货，推动公司营业收入及净利润较上年同
期大幅增长。2024年第一季度，公司实现营业收入7.37亿元，较上年同期增长75.74%
；归属于上市公司股东的净利润为2.23亿元，较上年同期增长1,032.86%，归属于上
市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为2.20亿元，较上年同期增长74,117.63%。
2024年第一季度公司净利润较上年同期大幅增长的原因主要包括：
（1）营业收入较上年同期增长75.74%；
（2）由于DDR5内存接口芯片、PCIe Retimer及MRCD/MDB芯片等较高毛利率
产品的收入占比提升，互连类芯片产品线毛利率为60.93%，较上年同期增加6.98个百
分点，推动公司整体毛利润较上年同期增长90.29%。
2、2024年第一季度，公司互连类芯片产品线销售收入为6.95亿元，较上年
同期增长68.38%，创该产品线第一季度销售收入历史新高（前次记录是2022年第一季
度的5.75亿元）；津逮服务器平台产品线销售收入为0.39亿元，较上年同期增长614.
61%。
3、2024年第一季度，公司股份支付费用为0.14亿元，在考虑相关所得税费
用影响的基础上，该费用对归属于上市公司股东的净利润的影响为0.12亿元。因此，
2024年第一季度，剔除股份支付费用影响后的归属于上市公司股东的净利润为2.36亿
元，较上年同期增长360.64%；剔除股份支付费用影响后的归属于上市公司股东的扣
除非经常性损益的净利润为2.32亿元，较上年同期增长630.96%。
4、2024年第一季度，DDR5内存接口芯片子代持续迭代，公司继续巩固在该
领域的行业领先地位。研发方面：2024年1月，公司推出DDR5第四子代RCD芯片，支持
数据速率为7200MT/S，并已将该产品工程样片送样给主要内存厂商，助力客户开展新
一代内存产品研发。市场方面：随着DDR5在下游持续渗透，预计2024年公司DDR5第二
子代及第三子代RCD芯片出货量较上年显著增加，其中DDR5第二子代RCD芯片出货量预
计在2024年上半年超过第一子代产品，DDR5第三子代RCD芯片预计从2024年下半年开
始规模出货。
5、紧抓人工智能时代发展机遇，公司前期布局的几款AI高性能“运力”芯
片取得积极进展：
（1）PCIe Retimer芯片：受益于AI服务器需求的快速增长，凭借优异的产
品性能及卓有成效的市场拓展，澜起科技的PCIe Retimer芯片成功导入境内外主流云
计算/互联网厂商的AI服务器采购项目，并已开始规模出货。2024年第一季度，公司
的PCIe Retimer芯片单季度出货量约为15万颗，超过该产品2023年全年出货量的1.5
倍，其中PCIe 5.0 Retimer占PCIe Retimer出货量的比例超过90%。
（2）MRCD/MDB芯片：受益于AI及高性能计算对更高带宽内存模组需求的推
动，凭借全球领先的技术实力以及研发进度，搭配澜起科技MRCD/MDB芯片的服务器高
带宽内存模组已在境内外主流云计算/互联网厂商开始规模试用。2024年第一季度，
公司的MRCD/MDB芯片单季度销售收入首次超过人民币2,000万元。
（3）CKD芯片：2024年4月，公司在业界率先试产DDR5时钟驱动器（CKD）
芯片，该产品应用于新一代客户端内存模组，当数据速率达到6400MT/S或以上时，客
户端内存CSODIMM和CUDIMM需搭配一颗CKD芯片。由于AI PC需要更高带宽内存提升整
体运算性能，将增加对更高速率DDR5内存的需求，从而加速CKD芯片渗透。该产品预
计从2024年第二季度开始规模出货。
（4）受益于AI产业趋势对相关产品需求的推动，截至2024年4月22日，公
司预计在2024年第二季度交付的PCIe Retimer、MRCD/MDB及CKD芯片的在手订单金额
合计已超过人民币9,000万元，上述三款AI高性能“运力”芯片呈现良好成长态势。
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担任何责任。
2、在作者所知情的范围内，本机构、本人以及财产上的利害关系人与所评价或推荐
的股票没有利害关系,本机构、本人分析仅供参考,不作为投资决策的依据，维赛
特财经不对因据此操作产生的盈亏承担任何责任。
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